恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈奕寰获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764516B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110254979.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体器件及其形成方法是由陈奕寰;郑光茗;周建志;亚历山大卡尔尼斯基;刘思贤;袁焕之设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包含位于衬底内的阱区。源极区和漏极区布置于阱区的相对侧上的衬底内。栅极电极布置于阱区上方，栅极电极具有布置于衬底的最顶部表面下方且在源极区与漏极区之间延伸的底部表面。沟槽隔离结构包围源极区、漏极区以及栅极电极。栅极介电结构将栅极电极与阱区、源极区、漏极区以及沟槽隔离结构分离。栅极电极结构具有中心部分和拐角部分。中心部分具有第一厚度，且拐角部分具有大于第一厚度的第二厚度。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：阱区，位于衬底内；源极区和漏极区，布置于所述阱区的相对侧上的所述衬底内；栅极电极，布置于所述阱区上方，所述栅极电极包括布置于所述衬底的最顶部表面下方且在所述源极区与所述漏极区之间延伸的底部表面；沟槽隔离结构，包围所述源极区、所述漏极区以及所述栅极电极；以及栅极介电结构，将所述栅极电极与所述阱区、所述源极区、所述漏极区以及所述沟槽隔离结构分离，其中所述栅极介电结构包括具有第一厚度的中心部分以及具有第二厚度的拐角部分，其中所述第二厚度大于所述第一厚度，且其中所述第二厚度是所述第一厚度的至少三倍。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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