恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张海洋获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116834B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110298326.7，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体结构的形成方法是由张海洋;纪世良;柯星设计研发完成，并于2021-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和第二区；在第一区上和第二区上形成若干分立的核心层；在核心层侧壁表面形成第一侧墙；形成第一侧墙之后，去除所述核心层，保留第一侧墙；在第一区上的第一侧墙侧壁表面和顶部表面形成覆盖层；在第一区上的覆盖层侧壁和第二区上的第一侧墙侧壁形成第二侧墙；形成第二侧墙之后，去除第二区上的第一侧墙，保留第二侧墙；去除第二区上的第一侧墙之后，去除覆盖层侧壁的第二侧墙；去除覆盖层侧壁的第二侧墙之后，去除所述覆盖层，在所述第一区上形成第一侧墙的刻蚀图案，在所述第二区上形成第二侧墙的刻蚀图案。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和第二区；在第一区上和第二区上形成若干分立的核心层；在核心层侧壁表面形成第一侧墙；形成第一侧墙之后，去除所述核心层，保留第一侧墙；在第一区上的第一侧墙侧壁表面和顶部表面形成覆盖层；在第一区上的覆盖层侧壁和第二区上的第一侧墙侧壁形成第二侧墙；形成第二侧墙之后，去除第二区上的第一侧墙，保留第二侧墙；去除第二区上的第一侧墙之后，去除覆盖层侧壁的第二侧墙；去除覆盖层侧壁的第二侧墙之后，去除所述覆盖层，在所述第一区上形成第一侧墙的刻蚀图案，在所述第二区上形成第二侧墙的刻蚀图案。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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