恭喜爱思开海力士有限公司金承焕获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373760B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110684537.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由金承焕设计研发完成，并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个有源层，在垂直于衬底的第一方向上堆叠并且在与第一方向相交的第二方向上横向取向；多个位线，每个位线耦接到每个有源层的一侧并且在与第一方向和第二方向相交的方向上横向取向；多个电容器，每个电容器耦接到每个有源层的另一侧；以及字线，垂直取向在第一方向上穿过有源层。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：多个有源层，在垂直于衬底的第一方向上堆叠并且在与所述第一方向相交的第二方向上横向取向；多个共同的杂质区，每个所述共同的杂质区耦接到在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上排列的多个有源层的一侧；多个位线，每个所述位线耦接到平行于所述位线延伸的每个所述共同的杂质区，并且所述第三方向上横向取向；多个电容器，每个电容器耦接到每个所述有源层的另一侧；以及字线，垂直取向地在第一方向上穿过所述有源层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人爱思开海力士有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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