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龙图腾网恭喜思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利图像传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513231B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110693389.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其制作方法是由石文杰;王婉晴设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，图像传感器包括电路连接层、光学结构层以及位于电路连接层和光学结构层之间的半导体结构层，半导体结构层内具有呈阵列分布的感光像素区以及将多个感光像素区间隔开的沟槽隔离结构，感光像素区内设有感光元件，沟槽隔离结构包括相互对应的反射结构和吸光结构，反射结构位于沟槽隔离结构靠近光学结构层的一端并用于反射光线，吸光结构位于沟槽隔离结构靠近电路连接层的一端并用于吸收光线。反射结构可以增加感光元件对光线的接收性能，还可避免或减少光线在靠近光学结构层附近发生光学串扰，吸光结构可以吸收靠近电路连接层附近的光线，从而避免或减少光线在电路连接层附近发生串扰。

本发明授权图像传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括电路连接层10、光学结构层30以及位于该电路连接层10和该光学结构层30之间的半导体结构层20，该半导体结构层20内具有呈阵列分布的感光像素区21以及将多个该感光像素区21间隔开并贯穿半导体结构层20的沟槽隔离结构22，该感光像素区21内设有感光元件，该沟槽隔离结构22包括相互对应的反射结构221和吸光结构222，该反射结构221位于该沟槽隔离结构22靠近该光学结构层30的一端并用于反射光线，该吸光结构222位于该沟槽隔离结构22靠近该电路连接层10的一端并用于吸收光线，该反射结构221的高度大于该沟槽隔离结构22高度的二分之一，该反射结构221由折射率低于该半导体结构层20的折射率的材料制成。

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