买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜福建金石能源有限公司申请的专利一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809188B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111070161.4，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法是由张超华;谢志刚;黄巍辉设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤A，其具体工艺如下：步骤a1，在第一导电区依次设置第一导电型膜层和第一绝缘层；步骤a2，在经步骤a1处理后的半导体基板的第一主面上依次设置第二导电型膜层和第二保护层；步骤a3，在需要保留第二导电型膜层区域的第二保护层表面设置第二抗腐蚀层；步骤a4，先采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二保护层，再采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二导电型膜层和第二抗腐蚀层；步骤a5，采用化学蚀刻方式除去剩余第二保护层和裸露在外的第一绝缘层。本发明的目的在于提供一种背接触异质结太阳能电池制造方法，采用化学蚀刻方法实现对第一导电区的开口，使底部半导体层损伤降至最小。

本发明授权一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法在权利要求书中公布了：1.一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：它包括步骤A，在半导体基板的第一主面的一部分设置第一导电型的第一导电区，在半导体基板的第一主面的其他部分设置第二导电型的第二导电区，其具体工艺如下：步骤a1，在半导体基板的第一主面的第一导电区依次设置第一导电型膜层和第一绝缘层；步骤a2，在经步骤a1处理后的半导体基板的第一主面上依次设置第二导电型膜层和第二保护层；所述第一绝缘层和第二保护层由酸性溶液可去除的材料制成；步骤a3，在需要保留第二导电型膜层区域的第二保护层表面设置第二抗腐蚀层；所述第二抗腐蚀层由碱性溶液可去除的材料通过丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印制成；步骤a4，先采用酸性溶液蚀刻方式除去裸露在外的第二保护层，后采用碱性溶液蚀刻方式除去第二抗腐蚀层和裸露在外的第二导电型膜层；或者，先使用印刷蚀刻膏的方式直接腐蚀裸露在外的第二保护层及覆盖于其下的第二导电型膜层的大部分，再用碱性溶液蚀刻方式除去残留部分和第二抗腐蚀层；步骤a5，采用酸性溶液蚀刻方式除去剩余第二保护层和裸露在外的第一绝缘层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建金石能源有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)泉源路17号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。