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龙图腾网恭喜株式会社日立高新技术申请的专利等离子处理装置以及等离子处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114360993B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111084850.0，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子处理装置以及等离子处理方法是由福地功祐;朝仓凉次;江藤宗一郎;冈本翔;臼井建人;中元茂设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子处理装置以及等离子处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供等离子处理装置以及等离子处理方法。即使是在半导体晶片表面的微细形状中发生偏差的情况，也能精度良好地检测被处理膜的厚度。在具备检测在真空处理室的内部中被处理的被处理件的被处理膜的状态的处理状态检测组件的等离子处理装置中，具备如下要素而构成处理状态检测组件：检测等离子的发光的发光检测部；求取等离子的发光的微分波形数据的运算部；存储多个微分波形图案数据的数据库部；赋予基于运算部中求得的微分波形数据与存储于数据库部的多个微分波形图案数据的差的权重来算出在被处理件被处理的被处理膜的膜厚的估计值的膜厚算出部；和基于由膜厚算出部算出的被处理膜的膜厚的估计值来判定等离子处理的终点的终点判定部。

本发明授权等离子处理装置以及等离子处理方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子处理装置，具备：在将内部排气成真空的状态下使等离子产生来对被处理件进行处理的真空处理室；检测在所述真空处理室的内部被处理的所述被处理件的被处理膜的状态的处理状态检测组件；和控制所述真空处理室和所述处理状态检测组件的控制部，所述等离子处理装置的特征在于，所述处理状态检测组件具备：检测在所述真空处理室的内部产生的所述等离子的发光的发光检测部；求取由所述发光检测部检测到的所述等离子的发光的微分波形数据的运算部；预先存储多个微分波形图案数据的数据库部；赋予基于由所述运算部求得的所述微分波形数据与存储于所述数据库部的多个所述微分波形图案数据的差的权重来算出在所述被处理件中被处理的所述被处理膜的膜厚的估计值的膜厚算出部；和基于由所述膜厚算出部算出的所述被处理膜的所述膜厚的估计值来判定利用了所述等离子的处理的终点的终点判定部，所述膜厚算出部使用存储于所述数据库部的所述多个微分波形图案数据当中的将与指定的基准膜厚对应的多个微分波形图案数据的各波长下的强度的偏差即标准偏差大的部分除外的波长范围的多个微分波形图案数据，来算出所述被处理膜的膜厚的所述估计值。

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