恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种高性能相变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111106532.X，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种高性能相变存储器及其制备方法是由宋志棠;周夕淋;王浩敏;宋三年设计研发完成，并于2021-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高性能相变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高性能相变存储器及其制备方法。该相变存储器包括：基底层，电极层，介质隔离层，底电极层，相变材料层，顶电极层，所述介质隔离层与底电极层之间设有介质缓冲材料层。该相变存储器可以有效避免底电极因氧化造成的性能衰退，确保电极的使用寿命；并且增加了散热面积，提高了器件操作过程中的散热效率，从而降低相变存储介质中的热应力，减小阻值漂移系数，提高了器件可靠性。
本发明授权一种高性能相变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器，所述相变存储器包括：基底层，电极层，介质隔离层，底电极层，相变材料层，顶电极层，其特征在于，所述介质隔离层与底电极层之间设有介质缓冲材料层，所述介质缓冲材料层材料为氮化物，所述氮化物电阻率应高于1000Ω·cm，热导率高于200WmK，热膨胀系数小于3×10-6K；所述相变存储器的制备方法包括以下步骤：（1）对基底进行清洗；（2）在清洗后的基底上依次形成电极层、介质隔离层；（3）在所述介质隔离层中制作通孔，并在所述通孔中填充介质缓冲材料层材料形成介质缓冲材料层；（4）在所述介质缓冲材料层中制作通孔，并在所述通孔中填充底电极材料形成底电极层；（5）在所述介质隔离层上表面形成与所述通孔中底电极层接触的相变材料层；（6）在所述相变材料层上表面形成顶电极层。
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