恭喜杭州士兰微电子股份有限公司姚国亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州士兰微电子股份有限公司申请的专利集成电路的制造方法及集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171465B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111306984.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权集成电路的制造方法及集成电路是由姚国亮;张邵华;吴建兴设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路的制造方法及集成电路在说明书摘要公布了：公开了一种集成电路的制造方法及集成电路，包括：在衬底上通过离子注入形成N型埋层；在所述N型埋层上形成外延层；在所述外延层中形成有源区和无源区；在所述无源区中形成多个场氧化层；在所述外延层中形成多个低压N型阱和多个低压P型阱；在所述低压N型阱、所述低压P型阱和所述场氧化层上形成多个栅极结构；形成多个深槽隔离结构，所述深槽隔离结构贯穿所述外延层、所述N型埋层并延伸至所述衬底中。本申请的集成电路的制造方法及集成电路，通过采用后道深槽隔离结构的工艺，减小集成电路的闩锁效应，从而提高集成电路的可靠性。
本发明授权集成电路的制造方法及集成电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电路的制造方法，其特征在于，包括：在衬底中通过离子注入形成N型埋层；在所述N型埋层上形成外延层；在所述外延层中形成有源区和无源区；在所述无源区中形成多个场氧化层；在所述外延层中形成多个低压N型阱和多个低压P型阱；在所述低压N型阱、所述低压P型阱和所述场氧化层上形成多个栅极结构；形成多个深槽隔离结构，所述深槽隔离结构贯穿所述外延层、所述N型埋层并延伸至所述衬底中，其中，所述深槽隔离结构包括深槽、位于所述深槽中的介质层以及位于所述深槽中心区域的第二多晶硅层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州士兰微电子股份有限公司，其通讯地址为：310012 浙江省杭州市黄姑山路4号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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