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龙图腾网恭喜海光信息技术股份有限公司申请的专利一种老化追踪电路、电子器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114142846B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111451676.9，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权一种老化追踪电路、电子器件及电子设备是由钱雅倩;黄瑞锋;魏依苒设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种老化追踪电路、电子器件及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种老化追踪电路、电子器件及电子设备，电路包括：锁存器和数据下拉模块，锁存器中的第一PMOS晶体管的尺寸与原始电路中待追踪PMOS晶体管的尺寸一致，且大于锁存器中的第二PMOS晶体管的尺寸，且第一PMOS晶体管老化后的驱动能力小于第二PMOS晶体管的驱动能力；数据下拉模块，第一端与所述锁存器的两个数据存储点连接，第二端接地，第三端用于接入控制信号，在原始电路上电时，第一端与第二端导通，以将两个数据存储点中的数据清零，并在两个数据存储点中的数据清零后，第一端与第二端断开。该电路通过第一PMOS晶体管可以模拟待追踪PMOS晶体管的老化情况，实现对于待追踪PMOS晶体管的老化追踪。

本发明授权一种老化追踪电路、电子器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种老化追踪电路，其特征在于，包括：锁存器，由交叉耦合的第一反相器和第二反相器构成，所述第一反相器中具有第一PMOS晶体管，所述第二反相器中具有第二PMOS晶体管；所述第一PMOS晶体管的尺寸与原始电路中待追踪PMOS晶体管的尺寸一致，且大于所述第二PMOS晶体管的尺寸，且所述第一PMOS晶体管老化后的驱动能力小于所述第二PMOS晶体管的驱动能力；数据下拉模块，第一端与所述锁存器的两个数据存储点连接，第二端接地，第三端用于接入控制信号；所述第一端与所述第二端在所述控制信号的作用下导通和断开，其中，在所述原始电路上电时，所述第一端与所述第二端导通，以将所述两个数据存储点中的数据清零，并在所述两个数据存储点中的数据清零后，所述第一端与所述第二端断开；所述数据下拉模块包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；所述两个数据存储点为第一数据存储点和第二数据存储点；所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的漏极共同构成所述第一端；其中，所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第一数据存储点连接，所述第二NMOS晶体管的漏极与所述第二数据存储点连接；所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的源极为所述第二端，均接地；所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的栅极为所述第三端，均接入所述控制信号；其中，在所述原始电路上电时，所述控制信号为高电平信号；在所述两个数据存储点中的数据清零后，所述控制信号为低电平信号；或者，所述数据下拉模块包括第一NPN型三极管和第二NPN型三极管；所述两个数据存储点为第一数据存储点和第二数据存储点；所述第一NPN型三极管和所述第二NPN型三极管的漏极共同构成所述第一端；其中，所述第一NPN型三极管的漏极与所述第一数据存储点连接，所述第二NPN型三极管的漏极与所述第二数据存储点连接；所述第一NPN型三极管和所述第二NPN型三极管的源极为所述第二端，均接地；所述第一NPN型三极管和所述第二NPN型三极管的栅极为所述第三端，均接入所述控制信号；其中，在所述原始电路上电时，所述控制信号为高电平信号；在所述两个数据存储点中的数据清零后，所述控制信号为低电平信号。

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