恭喜厦门半导体工业技术研发有限公司张雅君获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门半导体工业技术研发有限公司申请的专利一种半导体集成电路器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220916B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111503891.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种半导体集成电路器件及其制造方法是由张雅君;沈鼎瀛;单利军;邱泰玮;刘宇;康赐俊设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体集成电路器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件所采取的结构为第一电极在阻变层的侧壁和阻变层连接，并通过第二电极从阻变层内侧接出。从而在施加电压后会在阻变层的侧壁形成导电细丝。如此，可以通过减小第一电极的高度减小阻变发生区域，这使得在电操作过程中电场更加集中的施加在阻变层上，从而改善器件的均一性。此外，由于阻变区域位于阻变层的侧壁，是沉积形成的，未经过刻蚀，也不存在因为刻蚀而产生的损伤；同时，阻变区域位于阻变层的侧壁也可避免因为通孔凹陷导致的阻变层不平坦的问题，因此可以使得阻变层的性能更好，使用寿命更长。
本发明授权一种半导体集成电路器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成电路器件，其特征在于，所述半导体集成电路器件包括：阻变层，为开口向上的沟槽状结构；位于所述阻变层外侧的第一电极和位于所述阻变层内侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极在所述阻变层的侧壁两侧相对；所述阻变层、所述第一电极和所述第二电极形成第一存储单元；位于所述第一电极下方的通孔；通过所述通孔与所述第一电极连接的第一金属层；与所述第二电极连接的第二金属层；与所述第一存储单元具有相同结构的第三存储单元，所述第三存储单元的第一电极通过下方的通孔与所述第一金属层连接。
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