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龙图腾网恭喜因普利亚公司申请的专利具有低缺陷率的有机金属辐射可图案化涂层及相应方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114967348B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111674746.7，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权具有低缺陷率的有机金属辐射可图案化涂层及相应方法是由本杰明·L·克拉克;加埃塔诺·焦尔达诺;张书豪;多米尼克·斯米迪;马克·杰尼萨;克雷格·M·盖茨;简·杜瓦斯;彼得·戴·薛伯设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有低缺陷率的有机金属辐射可图案化涂层及相应方法在说明书摘要公布了：在形成尤其用于EUV图案化的辐射可图案化结构的背景下，描述了晶片结构，其包括具有光滑顶部表面的衬底和辐射敏感有机金属涂层，辐射敏感有机金属涂层具有不超过100nm的平均厚度，并且在针对尺寸大于48nm的缺陷、排除3mm边缘进行评估的情况下，辐射敏感有机金属涂层具有不超过约每平方厘米1个缺陷。用于形成低缺陷涂层的相应方法包括：使用旋涂机系统，将经纯化辐射敏感有机金属抗蚀剂溶液旋涂到晶片上以形成经涂覆晶片，旋涂机系统包括输送管线和连接到输送管线的输送喷嘴，并且干燥经涂覆晶片以形成辐射敏感有机金属涂层，该辐射敏感有机金属涂层在针对尺寸大于48nm的缺陷、排除3mm边缘进行评估的情况下，具有不超过约每平方厘米1个缺陷。

本发明授权具有低缺陷率的有机金属辐射可图案化涂层及相应方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片结构，所述晶片结构包括：衬底和辐射敏感有机金属涂层，所述辐射敏感有机金属涂层具有不超过100nm的平均厚度，并且针对尺寸大于48nm的缺陷、排除3mm边缘进行评估的情况下，所述辐射敏感有机金属涂层具有不超过每平方厘米1个缺陷，其中所述辐射敏感有机金属涂层包括通过沉积可水解的前驱物组合物而形成的单烷基锡组合物，所述可水解的前驱物组合物包括由式RSnX3表示的组合物，并在微粒尺寸为至少70nm的情况下不超过10微粒mL，并且其中所述晶片结构具有光滑顶部表面，其中，所述辐射敏感有机金属涂层当被完全水解时包括由式RSnO1.5-n2OHn表示的组合物，其中0＜n≤3，其中R是具有1-31个碳原子的有机配位基，其中碳原子键合到Sn，并且其中X是可水解配位基。

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