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龙图腾网恭喜北京燕东微电子科技有限公司申请的专利一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111676857.1，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法是由代佳;张小麟;于江勇设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法。该测试结构用于监测在晶圆的管芯区中形成器件结构的工艺异常，包括：沿第一方向延伸的浅沟槽隔离区和由浅沟槽隔离区隔离的至少两个有源区；形成在浅沟槽隔离区和有源区上的至少两个沿第二方向延伸的栅极结构，其中，栅极结构至少与两个有源区交叠，并且栅极结构的线宽与器件结构中形成的最小线宽的栅极结构的线宽一致；覆盖栅极结构、有源区和浅沟槽隔离区的层间介质层，其中在覆盖测试结构的栅极结构两侧有源区的层间介质层中形成有接触孔；在层间介质层上形成的至少两个沿第一方向延伸的金属走线，金属走线与至少两个有源区一一对应，通过接触孔与对应的有源区电接触。

本发明授权一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，形成在晶圆的测试区中，用于监测在所述晶圆的管芯区中形成器件结构的工艺异常，其特征在于，所述测试结构包括：沿第一方向延伸的浅沟槽隔离区和由所述浅沟槽隔离区隔离的至少两个有源区；形成在所述浅沟槽隔离区和有源区上的至少两个沿第二方向延伸的栅极结构，其中，所述栅极结构至少与两个有源区交叠，并且所述栅极结构的线宽与所述器件结构中形成的最小线宽的栅极结构的线宽一致；覆盖所述测试结构中的栅极结构、有源区和浅沟槽隔离区的层间介质层，其中在覆盖所述测试结构中的栅极结构两侧有源区的层间介质层中形成有接触孔；在所述层间介质层上形成的至少两个沿第一方向延伸的金属走线，其中，所述金属走线与所述至少两个有源区一一对应，通过所述接触孔与对应的有源区电接触。

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