恭喜复旦大学;复旦大学义乌研究院朱俊嫱获国家专利权
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龙图腾网恭喜复旦大学;复旦大学义乌研究院申请的专利一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613880B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210142701.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法是由朱俊嫱;丛春晓;仇志军;单亚兵设计研发完成，并于2022-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电探测技术领域，具体为一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法。该二维光电探测器基于MoS2、hBN、BP、WSe2垂直结构，具有光电流放大增益效果和宽谱响应。制备步骤包括：利用PDMS胶带机械剥离特定层数范围内的MoS2、hBN、BP、WSe2；再将剥离好的材料转移到表面沉积SiO2的Si衬底上，旋涂光刻胶，利用激光直写对光刻胶进行图形化；电子束蒸发得到金属电极；对残余光刻胶进行lift‑off；利用原子层沉积Al2O3对器件进行封装，制备得到具有光电流放大效果的宽光谱光电探测器。该光电探测器在抑制暗电流的同时对光电流信号进行放大，探测率高，响应度高，具有宽范围响应。
本发明授权一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高增益的二维光电探测器的制备方法，其特征在于，具体步骤为（1）利用PDMS胶带机械剥离MoS2、hBN、BP、WSe2；（2）将已经剥离好的MoS2、WSe2、BP、hBN依次转移到带有SiO2的SiSiO2的衬底上；（3）旋涂光刻胶，利用激光直写对光刻胶进行图形化；（4）使用电子束光刻在器件两侧沉积金属源漏电极；（5）利用有机溶剂对残余光刻胶进行lift-off；（6）使用原子层沉积对器件进行封装；所述BP和WSe2形成P-N结，MoS2作为光电探测器的发射极，BP作为光电探测器的基极，WSe2作为光电探测器的集电极，hBN作为光电探测器的单极势垒层。
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