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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利多晶硅控制栅刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551236B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210149554.2，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权多晶硅控制栅刻蚀方法是由张振兴设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本多晶硅控制栅刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多晶硅控制栅刻蚀方法，包括：步骤一、在底层结构上形成第一多晶硅层和硬质掩膜层并对硬质掩膜层进行图形化刻蚀；步骤二、进行多晶硅开口刻蚀以对开口区域的第一多晶硅层进行部分厚度刻蚀以形成第一开口；多晶硅开口刻蚀中会形成聚合物，通过增加多晶硅开口刻蚀中形成的聚合物使多晶硅开口刻蚀完成后在第一开口的侧面形成由聚合物累积形成的第一侧墙；步骤三、进行多晶硅主体刻蚀以对第一开口底部的第一多晶硅层进行刻蚀以形成多晶硅控制栅的侧面，多晶硅控制栅的侧面围成第二开口，多晶硅主体刻蚀会自适应第一侧墙的形貌进行刻蚀。本发明使多晶硅控制栅具有垂直侧面并从而减少或消除多晶硅控制栅的侧面顶部尖角。

本发明授权多晶硅控制栅刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅控制栅刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤一、提供底层结构，在所述底层结构上形成第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层的表面上形成硬质掩膜层，对所述硬质掩膜层进行图形化刻蚀将多晶硅开口区域打开；步骤二、以所述硬质掩膜层为进行多晶硅开口刻蚀，所述多晶硅开口刻蚀将所述多晶硅开口区域的所述第一多晶硅层的顶部的部分厚度去除并形成第一开口，所述多晶硅开口刻蚀中会形成聚合物，通过增加所述多晶硅开口刻蚀中形成的所述聚合物使所述多晶硅开口刻蚀完成后在所述第一开口的侧面形成由所述聚合物累积形成的第一侧墙；步骤三、进行多晶硅主体刻蚀，所述多晶硅主体刻蚀对所述第一开口底部的所述第一多晶硅层进行刻蚀以形成多晶硅控制栅的侧面，所述多晶硅控制栅的侧面围成第二开口，所述多晶硅主体刻蚀会自适应所述第一侧墙的形貌进行刻蚀，从而会改变所述多晶硅主体刻蚀的初始刻蚀方向并和所述多晶硅主体刻蚀工艺对所述多晶硅控制栅的侧面内凹影响相抵消，使所述多晶硅控制栅具有垂直侧面并从而减少或消除所述多晶硅控制栅的侧面顶部尖角。

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