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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利基于SiON波导的离子交换可调制光分路器及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114942534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210454274.2，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权基于SiON波导的离子交换可调制光分路器及其制备工艺是由林宏焘;雷坤皓;孙春雷;李兰设计研发完成，并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SiON波导的离子交换可调制光分路器及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及集成光学分路器领域，公开了基于SiON波导的离子交换可调制光分路器及其制备工艺，包括包括第一金属电极、离子交换区域、SiO2上包层、SiON波导、第二金属电极、SiO2下包层和硅基底。第一金属电极位于离子交换区域的上表面，离子交换区域位于SiON波导的上表面，且离子交换区域置于SiO2上包层之内，SiON波导位于硅基底的上方，SiON波导的上表面与SiO2上包层的下表面相接触，SiON波导的下表面与SiO2下包层的上表面相接触，SiO2下包层位于第二金属电极的上表面，第二金属电极贴合于硅基底的上表面，通过两块金属电极形成的电容电场对离子交换区域的掺杂离子向SiON波导扩散进行控制，以实现对波导传播模式以及分路器分光比的调制目的。

本发明授权基于SiON波导的离子交换可调制光分路器及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.基于SiON波导的离子交换可调制光分路器，其特征在于，包括第一金属电极101、离子交换区域102、SiO2上包层103、SiON波导104、第二金属电极105、SiO2下包层106和硅基底107；所述第一金属电极101位于离子交换区域102的上表面；所述离子交换区域102位于SiON波导104的上表面，且离子交换区域102置于SiO2上包层103之内；所述SiON波导104位于硅基底107的上方，SiON波导104的上表面与SiO2上包层103的下表面相接触，SiON波导104的下表面与SiO2下包层106的上表面相接触；所述SiO2下包层106位于第二金属电极105的上表面；所述第二金属电极105位于硅基底107的上表面；所述第一金属电极101与第二金属电极105外接电源形成电容电场，进而能够对离子交换区域102中的离子扩散进行调控。

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