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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利监控深沟槽超级结MOSFET产品外延填充速率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497845B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211083480.3，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权监控深沟槽超级结MOSFET产品外延填充速率的方法是由徐永宝;侯翔宇;汪美林设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本监控深沟槽超级结MOSFET产品外延填充速率的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种监控深沟槽超级结MOSFET产品外延填充速率的方法，其包括以下步骤：深沟槽超级结MOSFET产品使用100晶相硅基片，在外延填充前通过CD量测机台量测特定测试单元位置的第一特征尺寸；根据特定测试单元坐标，计算出特定测试单元距外延片中心的物理半径；进行外延填充，外延填充后通过CD量测机台测试出特定测试单元位置的第二特征尺寸，可得外延过填部分高度；根据计算出的特定测试单元距外延片中心的物理半径和外延过填部分高度作图，得到特定测试单元距外延片中心的物理半径和外延过填部分高度之间的关系。本发明可以定量、直观的描述深沟槽超级结MOSFET产品的外延填充速率，还可监控产品面内不同位置的外延填充速率。

本发明授权监控深沟槽超级结MOSFET产品外延填充速率的方法在权利要求书中公布了：1.一种监控深沟槽超级结MOSFET产品外延填充速率的方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤一，深沟槽超级结MOSFET产品使用100晶相硅基片，在外延填充前通过CD量测机台量测特定测试单元位置的第一特征尺寸CD1；步骤二，根据特定测试单元坐标，计算出特定测试单元距外延片中心的物理半径R；根据特定测试单元坐标作图，得到晶圆面内外延填充速率分布图；步骤三，进行外延填充，外延填充后通过CD量测机台测试出特定测试单元位置的第二特征尺寸CD2，通过外延生长原理可得外延过填部分高度H：H＝CD2-CD12；步骤四，采用以下公式得外延填充速率v：T为外延填充时间；根据计算出的特定测试单元距外延片中心的物理半径R和外延过填部分高度H作图，得到特定测试单元距外延片中心的物理半径R和外延过填部分高度H之间的关系。

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