恭喜南京大学王欣然获国家专利权
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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115710749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211324028.1，技术领域涉及：C30B29/46；该发明授权一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置是由王欣然;李涛涛;沈昊亮;施毅设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置，所述制备方法通过高活性的反应气体与固态金属源进行原位表面反应得到气态金属源，接着与含有硫族元素的气体源在衬底表面进行气相反应，生长得到过渡金属硫族化合物单晶薄膜；通过高形核密度和高生长速率实现薄膜的快速生长；采用该制备方法的装置，将衬底从进样室传送至外延腔室，在温度恒定的外延腔室进行批量化材料生长，样品由外延腔体传输到取样室进行降温冷却，避免了外延腔室升降温过程带来的时间和能源消耗，实现了过渡金属硫族化合物单晶薄膜的不间断、批次生长和传输，提高了生产效率。
本发明授权一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1反应气体在固态金属源的表面进行氧化或氯化反应，原位挥发得到气态金属源，所述反应气体为Cl2、HCl或O2，所述气态金属源为金属氧化物气态源、金属氯化物气态源或金属氯氧化物气态源，反应气体的流量为每分钟1-50毫升，固态金属源的温度为450～950℃；2步骤1制得的气态金属源，与含有硫族元素的气体源在衬底表面进行气相反应，生长得到过渡金属硫族化合物单晶薄膜。
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