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龙图腾网恭喜常州大学申请的专利基于Zn-PTC的分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116087295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310156083.2，技术领域涉及：G01N27/30；该发明授权基于Zn-PTC的分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和应用是由陈智栋;卜李银;朱巧勇;宋清远;王文昌;贾树勇;椎木弘设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于Zn-PTC的分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及电化学检测技术领域，公开了基于Zn‑PTC的分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和检测ENR的应用。构建过程包括玻碳电极，自内向外依次修饰在玻碳电极表面的Zn‑PTC层、具有电化学活性的壳聚糖层，以及形成具有待测ENR特异性印迹空腔的聚吡咯层。检测ENR时，以Ppy‑MIPCHITZn‑PTCGCE修饰电极作为工作电极，AgAgCl电极作为参比电极，铂电极作为辅助电极，采用电化学发光方法进行检测。该传感器的线性范围为1.0×10‑4～1.0×10‑12molL，检出限为3.3×10‑13molL。本发明制备的传感器具有检测灵敏度高、检测速度快、使用方便等优点。

本发明授权基于Zn-PTC的分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种Ppy-MIPCHITZn-PTCGCE分子印迹电化学发光传感器，用于ENR的检测，其特征在于：包括玻碳电极，自内向外依次修饰在玻碳电极表面的Zn-PTC层、具有电化学活性的CHIT层，以及形成有待测ENR特异性印迹空腔的聚吡咯层;Zn-PTC的制备方法包括如下步骤：将K4PTC缓慢加入ZnCH3COO2的水溶液中并在常温下搅拌，并将混合物转移至衬有特氟龙的高压釜中，加热反应，反应结束后用乙醇和去离子水依次洗涤，离心收集橙色的Zn-PTC固体产物；Ppy-MIPCHITZn-PTCGCE分子印迹电化学发光传感器的制备方法包括：将玻碳电极抛光，依次用硝酸、无水乙醇和去离子水超声，将Zn-PTC悬浮液滴涂在玻碳电极表面，在红外灯下干燥后得到Zn-PTCGCE；随后将CHIT的乙酸溶液滴涂在Zn-PTCGCE表面，常温干燥后得到CHITZn-PTCGCE；将制备的CHITZn-PTCGCE置于含Py单体和含ENR的磷酸盐缓冲液中，在三电极体系中，通过循环伏安将Py电聚合到CHITZn-PTCGCE表面并生成Ppy膜；其中ENR通过与Ppy之间形成的氢键连接且被掺杂在Ppy内，得到Ppy-MIP-ENRCHITZn-PTCGCE；将Ppy-MIP-ENRCHITZn-PTCGCE置于NaOH：乙醇溶液中浸泡洗脱Ppy膜内掺杂的ENR，得到Ppy-MIPCHITZn-PTCGCE分子印迹电化学发光传感器。

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