恭喜华电(烟台)功率半导体技术研究院有限公司邓二平获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜华电(烟台)功率半导体技术研究院有限公司申请的专利一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116203375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310255684.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路是由邓二平;潘茂杨;赵辉;赵雨山;黄永章设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路，属于半导体技术领域，包括一级控制IGBT和待测器件，所述待测器件的一端连接一级控制IGBT，一级控制IGBT的另一端连接负载电流源IL，还包括二级控制IGBT，二级控制IGBT的一端连接待测器件的另一端，二级控制IGBT的另一端连接负载电流源IL的另一端。本发明针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路适用性强、能满足特殊器件类型的测试要求、可靠性高。
本发明授权一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路在权利要求书中公布了：1.一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路，包括一级控制IGBT和待测器件，所述待测器件的一端连接一级控制IGBT，一级控制IGBT的另一端连接负载电流源IL，其特征在于，还包括二级控制IGBT，二级控制IGBT的一端连接待测器件的另一端，二级控制IGBT的另一端连接负载电流源IL的另一端；所述一级控制IGBT包含三个并联连接的IGBT，待测器件上桥臂的三个器件分别连接一级控制IGBT中三个IGBT的源极；所述二级控制IGBT包含三个并联连接的IGBT，待测器件下桥臂的三个器件分别连接二级控制IGBT中三个IGBT的漏极；每条支路的一级控制IGBT和二级控制IGBT共用栅极信号；每条支路上的待测器件上、下桥臂的两个器件共用栅极信号。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华电(烟台)功率半导体技术研究院有限公司，其通讯地址为：264006 山东省烟台市开发区台北北路46号2#厂房4层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号