恭喜深圳阜时科技有限公司刘德胜获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳阜时科技有限公司申请的专利光电转换器件、装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116845121B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310896441.3，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权光电转换器件、装置及其制造方法是由刘德胜;吕晨晋;李佳鹏;莫良华设计研发完成，并于2023-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电转换器件、装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种光电转换器件，该光电转换器件包括：半导体基材；P型掺杂区和或N型掺杂区，设置于所述半导体基材内，所述P型掺杂区和所述N型掺杂区构成的PN结形成对应的耗尽区；或者所述半导体基材分别和P型掺杂区或N型掺杂区构成的PN结形成对应的耗尽区；耗尽区调节结构，设置于所述半导体基材内，用于调整所述耗尽区的大小。本申请还提供一种包括所述光电转换器件的光电感测装置及所述光电转换器件的制造方法。
本发明授权光电转换器件、装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光电转换器件，其特征在于，包括：半导体基材；P型掺杂区和或N型掺杂区，设置于所述半导体基材内，所述P型掺杂区和所述N型掺杂区构成的PN结形成对应的耗尽区；或者所述半导体基材分别和P型掺杂区或N型掺杂区构成的PN结形成对应的耗尽区；耗尽区调节结构，设置于所述半导体基材内，所述耗尽区调节结构用于限制所述耗尽区的扩大，所述耗尽区调节结构包括高掺杂区，所述高掺杂区的类型与所述半导体基材的掺杂类型相同，所述高掺杂区形成在所述半导体基材内的侧面；及阱区，设置于所述半导体基材内，所述阱区的半导体类型与所述半导体基材的半导体类型相同且所述阱区的掺杂浓度高于所述半导体基材的掺杂浓度，所述阱区用于引出电极，所述阱区位于所述耗尽区调节结构与所述P型掺杂区和所述N型掺杂区之间，所述阱区从外延层远离衬底的上表面伸入所述外延层的深度小于所述耗尽区调节结构的深度。
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