恭喜清华大学崔超婕获国家专利权
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龙图腾网恭喜清华大学申请的专利一种高效制备碳纳米材料的流化床系统与方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117504744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311490939.6，技术领域涉及：B01J8/24；该发明授权一种高效制备碳纳米材料的流化床系统与方法是由崔超婕;骞伟中设计研发完成，并于2023-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效制备碳纳米材料的流化床系统与方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高效制备碳纳米材料的流化床系统与方法，通过在流化床内设置低温撞击流区和高温碳纳米材料生长区，再在低温撞击流区内设置撞击结构来产生撞击流，不间断粉碎聚团的碳纳米材料、聚团的催化剂和或聚团的模板剂，然后粉碎后的小颗粒在高温碳纳米材料生长区继续生长，获得粒径小于5μm，堆积密度不超过0.1gmL的碳纳米材料，材料的流动性明显改善，催化剂和或模板剂的利用率增高，后续不用再研磨，时间成本可节省50％，装置投资节约10‑15％。此外，粒径减小的催化剂和或模板剂的活性增加5‑25％，使得碳纳米材料的成品率增加了30‑35％，处理成本降低30‑50％，废液减少300‑500％。相比于直接将撞击结构放在高温区，本发明的结构更稳定，对颗粒的破碎效果提升50‑100％。
本发明授权一种高效制备碳纳米材料的流化床系统与方法在权利要求书中公布了：1.一种高效制备碳纳米材料的流化床系统，其特征在于，所述流化床系统包括流化床本体，所述流化床本体内设置有多孔分布板，所述多孔分布板将所述流化床本体分隔为低温撞击流区和高温碳纳米材料生长区；所述低温撞击流区位于所述流化床本体的下部，所述低温撞击流区设置有撞击结构，所述撞击结构产生的撞击流用于粉碎聚团的大颗粒固体；所述撞击结构由对向设置的两个气体喷嘴组成，所述气体喷嘴中的气流相互碰撞形成所述撞击流，或，所述撞击结构由对向设置的气体喷嘴与金属块陶瓷块组成，所述气体喷嘴中的气流垂直喷向所述金属块陶瓷块形成所述撞击流。
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