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龙图腾网恭喜上海紫鹰微电子有限公司申请的专利一种限流检测电路及开关电源控制芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119070597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411562281.X，技术领域涉及：H02M1/00；该发明授权一种限流检测电路及开关电源控制芯片是由李响;董渊;庄健设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种限流检测电路及开关电源控制芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域。本发明提供了一种限流检测电路及开关电源控制芯片，其中，限流检测电路包括：功率管、采样管、输入式跨导放大器、电流镜、电压比较器、第一电阻、第二电阻和第三电阻；电压比较器的正向输入端连接于功率管的源极，负向输入端连接于采样管的源极；第一电阻串联在采样管的衬底电流走向上；第二电阻的第一端和第三电阻的第一端分别连接在输入式跨导放大器的两个输入端；第二电阻的第二端和第三电阻的第二端分别连接在第一电阻的两端；输入式跨导放大器的输出端连接于第三电阻的第一端；电压比较器用于根据采样电流对应的电压和阈值电流对应的电压，输出比较信号。

本发明授权一种限流检测电路及开关电源控制芯片在权利要求书中公布了：1.一种限流检测电路，其特征在于，包括：功率管、采样管、输入式跨导放大器、电流镜、电压比较器、第一电阻、第二电阻和第三电阻；所述采样管用于采样所述功率管的电流；所述电压比较器的正向输入端连接于所述功率管的源极，负向输入端连接于所述采样管的源极；所述第一电阻串联在所述采样管的衬底电流走向上，用于采样所述采样管的衬底电流，并将衬底电流转化为电压，输入至所述输入式跨导放大器；所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端分别连接在所述输入式跨导放大器的两个输入端；所述第二电阻的第二端和所述第三电阻的第二端分别连接在所述第一电阻的两端；所述输入式跨导放大器的输出端连接于所述第三电阻的第一端；所述电压比较器用于根据采样电流对应的电压和阈值电流对应的电压，输出比较信号；所述采样电流为所述采样管的源极电流与所述采样管的衬底电流之和；所述电流镜包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；所述第一PMOS管的源极连接于所述第二PMOS管的漏极和栅极，所述第一PMOS管的栅极和漏极短接且连接于所述第六PMOS管的栅极并接地；所述第二PMOS管的栅极和漏极短接且连接于所述第五PMOS管的栅极；所述第五PMOS管的漏极连接于所述第六PMOS管的源极；所述第五PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接于供电电压；所述第六PMOS管的漏极连接于所述电压比较器的负向输入端和所述采样管的源极；所述输入式跨导放大器包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管；所述第三PMOS管的栅极连接于所述第四PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极；所述第三PMOS管的源极和所述第四PMOS管的源极连接于供电电压；所述第三PMOS管的漏极连接于所述第一NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极；所述第四PMOS管的漏极连接于所述第二NMOS管的漏极和栅极；所述第一NMOS管的栅极连接于所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极连接于所述第二电阻的第一端；所述第二NMOS管的源极连接于所述第三电阻的第一端；所述第三NMOS管的漏极连接于所述第六PMOS管的源极和所述第五PMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极连接于所述第三电阻的第一端。

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