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龙图腾网恭喜浙江创芯集成电路有限公司申请的专利多层光栅结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119165568B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411640823.0，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权多层光栅结构的制作方法是由许庆爽;綦殿禹;吴永玉设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本多层光栅结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多层光栅结构的制作方法，通过将多层光栅所需的沟槽图形进行一次主图形曝光，刻蚀将图形转移至硬掩模，后续依次采用精度要求较低的掩膜版形成大线宽的刻蚀窗口和对已刻蚀的沟槽进行遮挡后，对待刻蚀的沟槽进行刻蚀，形成深度不同的多层沟槽光栅结构。由于沟槽的主图形在同一次曝光中形成，后续沟槽的制备不会出现位置误差等问题，并且降低了对套刻误差的要求。因此，本发明能够减少主图形的曝光次数，同时可提高器件一致性。

本发明授权多层光栅结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多层光栅结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供衬底，在所述衬底上依次沉积第一介质层、第二介质层和硬掩模层；在所述硬掩模层上依次形成抗反射层和第一光阻层，通过光刻工艺在所述第一光阻层中形成间隔排布的第一光刻窗口、第二光刻窗口和第三光刻窗口；通过刻蚀将所述第一光刻窗口、第二光刻窗口和第三光刻窗口转移至所述硬掩模层，以形成第一窗口、第二窗口和第三窗口；在所述硬掩模层上形成第二光阻层，通过光刻工艺在所述第二光阻层上形成第一刻蚀窗，所述第一刻蚀窗显露所述第一窗口，所述第二光阻层遮挡所述第二窗口和第三窗口；基于所述第一刻蚀窗刻蚀所述第一窗口中的第二介质层、第一介质层和衬底，形成延伸至衬底内部的第一沟槽，通过灰化工艺去除所述第二光阻层；在所述硬掩模层上形成第三光阻层，通过光刻工艺在所述第三光阻层上形成第二刻蚀窗，所述第二刻蚀窗显露所述第二窗口，所述第三光阻层遮挡所述第一窗口和第三窗口；基于所述第二刻蚀窗刻蚀所述第二窗口中的第二介质层和第一介质层，形成停止在衬底表面的第二沟槽，通过灰化工艺去除所述第三光阻层；在所述硬掩模层上形成第四光阻层，通过光刻工艺在所述第四光阻层上形成第三刻蚀窗，所述第三刻蚀窗显露所述第三窗口，所述第四光阻层遮挡所述第一窗口和第二窗口；基于所述第三刻蚀窗刻蚀所述第三窗口中的第二介质层，形成停止在第一介质层表面的第三沟槽，通过灰化工艺去除所述第四光阻层；采用湿法刻蚀去除所述硬掩模层，所用湿法刻蚀溶液对所述硬掩模层与第二介质层、第一介质层和衬底具有高刻蚀选择比；所述第一介质层为氧化物和氮化物中的一种，所述第二介质层为氧化物和氮化物中的另一种，所述硬掩模层为多晶硅。

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