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龙图腾网恭喜合肥新晶集成电路有限公司申请的专利半导体测试结构及其制备方法、测试器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411662280.2，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体测试结构及其制备方法、测试器件是由王文智;张国伟;王建智设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体测试结构及其制备方法、测试器件在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体测试结构及其制备方法、测试器件，涉及集成电路技术领域，半导体测试结构包括衬底、源极测试插塞及漏极测试插塞；衬底的N阱区内包括间隔排布的至少两个P型掺杂区；相邻两个P型掺杂区之间N阱区顶面包括栅极；相邻两个P型掺杂区中，一P型掺杂区与源极测试插塞电连接，另一P型掺杂区与漏极测试插塞电连接；其中，源极测试插塞、漏极测试插塞用于获取电子束检测电压对比图，电压对比图包括用于指示是否存在缺陷的明电压对比及或暗电压对比。至少能够利用电子束检测电压对比图及时简便地检测出NMOS晶体管是否存在断路缺陷。

本发明授权半导体测试结构及其制备方法、测试器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，至少用于测试对应的NMOS晶体管是否存在断路缺陷，所述半导体测试结构包括衬底、源极测试插塞、漏极测试插塞及栅极测试插塞；所述衬底的N阱区内包括间隔排布的至少两个P型掺杂区；所述P型掺杂区与所述N阱区用于形成PN结；相邻两个P型掺杂区之间N阱区顶面包括栅极；所述栅极包括直接接触所述N阱区顶面的栅导电层；所述相邻两个P型掺杂区中，一P型掺杂区与所述源极测试插塞电连接，另一P型掺杂区与所述漏极测试插塞电连接；所述栅导电层位于所述栅极测试插塞、所述N阱区顶面之间；其中，所述源极测试插塞、所述漏极测试插塞用于在积极检测模式下，获取电子束检测电压对比图，所述电压对比图包括用于指示是否存在缺陷的明电压对比及或暗电压对比，所述明电压对比为用于指示不存在断路缺陷的亮点，所述暗电压对比为用于指示存在断路缺陷的暗点或黑点；所述积极检测模式下的电子束能量小于2KeV，用于使得二次电子经由导通的所述PN结输出。

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