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龙图腾网恭喜苏州大学申请的专利一种Micro-LED阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208491B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411720429.8，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种Micro-LED阵列及其制备方法是由孙倜;张同友;许峰;曹冰设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro-LED阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于Micro‑LED微纳光学光场调控及Micro‑LED制备技术领域，涉及一种Micro‑LED阵列及其制备方法；包括Micro‑LED台面结构阵列、第二N型GaN层和一维光子晶体层；第二N型GaN层连续设置在Micro‑LED台面结构阵列上表面所在平面；一维光子晶体层设置在第二N型GaN层上表面，包括层叠设置的折射率不同的第一介质层和第二介质层。本申请利用第二N型GaN层提供平整表面，生长高质量的一维光子晶体层，利用一维光子晶体层高效透过小角度入射光线并强反射大角度入射的光线，有效减小了阵列结构间的光串扰，极大提升了Micro‑LED的发光准直性。

本发明授权一种Micro-LED阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED阵列，其特征在于，包括：Micro-LED台面结构阵列，包括呈阵列排布的多个Micro-LED台面结构，每个Micro-LED台面结构包括自上至下依次层叠设置的第一N型GaN层、量子阱发光层、P型GaN层和ITO层；第二N型GaN层，连续设置在Micro-LED台面结构阵列上表面所在平面，以使多个Micro-LED台面结构共用所述第二N型GaN层；所述第二N型GaN层的厚度为0.1μm~1.5μm；一维光子晶体层，连续设置在所述第二N型GaN层远离所述Micro-LED台面结构阵列一侧表面，包括至少一个光子晶体结构，所述光子晶体结构包括层叠设置的折射率不同的第一介质层和第二介质层；N电极，与所述第二N型GaN层相接触；其中，Micro-LED台面结构为倒圆台，其靠近第二N型GaN层一侧表面的直径小于相邻Micro-LED台面结构之间的横向距离和纵向距离；或，Micro-LED台面结构为倒四棱台，其靠近第二N型GaN层一侧表面的长度小于相邻Micro-LED台面结构之间的横向距离，其靠近第二N型GaN层一侧表面的宽度小于相邻Micro-LED台面结构之间的纵向距离。

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