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龙图腾网恭喜深圳优普莱等离子体技术有限公司;广东优普莱金刚石技术有限公司申请的专利一种基于MPCVD设备的金刚石剥离方法、系统及终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119243330B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411766235.1，技术领域涉及：C30B28/14；该发明授权一种基于MPCVD设备的金刚石剥离方法、系统及终端是由全峰;吴家伟;阚京森设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MPCVD设备的金刚石剥离方法、系统及终端在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于MPCVD设备的金刚石剥离方法、系统及终端，所述方法包括：将目标基底材料放置在目标钼片上，并根据目标旋涂液对目标基底材料进行成核生成处理，得到目标成核过渡层；确定预设工艺气体，并对目标成核过渡层进行金刚石生长处理，得到多晶金刚石薄膜；设置第一降温环境，并对多晶金刚石薄膜进行初始剥离处理，得到初始剥离多晶金刚石薄膜；设置第二降温环境，并对初始剥离多晶金刚石薄膜进行再剥离处理，得到多晶金刚石薄膜剥离后的目标多晶金刚石薄膜以及目标基底。本发明通过成核过渡层工艺保证成核层与基底的适当结合力，并通过设置降温环境流程实现金刚石与衬底之间的温差变化，进而实现金刚石与基底之间的有效分离。

本发明授权一种基于MPCVD设备的金刚石剥离方法、系统及终端在权利要求书中公布了：1.一种基于MPCVD设备的金刚石剥离方法，其特征在于，所述基于MPCVD设备的金刚石剥离方法包括：获取目标旋涂液、目标基底材料以及目标钼片，将所述目标基底材料放置在所述目标钼片上，并根据所述目标旋涂液对所述目标基底材料进行成核生成处理，得到目标成核过渡层；确定预设工艺气体，并根据所述预设工艺气体对所述目标成核过渡层进行金刚石生长处理，得到多晶金刚石薄膜，具体包括：获取所述目标成核过渡层的生长面中心温度以及边缘温度，并控制所述生长面中心温度与所述边缘温度之间的温度差处于预设温度差，其中，所述生长面中心温度大于所述边缘温度；开启MPCVD设备中的微波，并向所述MPCVD设备中充入预设工艺气体；根据所述预设工艺气体对所述目标成核过渡层进行金刚石生长处理，得到多晶金刚石薄膜；通过有效的钼托散热设计，使生长过程中多晶生长面温度中心与边缘保持一定温度差；钼托考虑减少或避免多晶薄膜在基底侧面的生长，减少在自动脱膜的过程中产生额外的结合力，避免导致多晶碎裂；设置第一降温环境，并根据所述第一降温环境对所述多晶金刚石薄膜进行初始剥离处理，得到初始剥离多晶金刚石薄膜，具体包括：设置所述MPCVD设备内的第一降温环境，其中，所述第一降温环境包括预设氢气浓度范围以及第一预设温度范围；根据所述预设氢气浓度范围和所述第一预设温度范围对所述多晶金刚石薄膜进行初始剥离处理，得到初始剥离多晶金刚石薄膜，具体包括：每间隔预设周期将所述第一预设温度范围进行降低处理，直到所述第一预设温度范围降低至第二预设温度范围，得到多个变化温度；根据多个所述变化温度和所述预设氢气浓度范围对所述多晶金刚石薄膜进行初始剥离处理，得到初始剥离多晶金刚石薄膜；设置的第一降温环境通过控制甲烷的量来进行温度的控制，通过对温度的控制来实现金刚石和基底的初步分离；设置第二降温环境，并根据所述第二降温环境对所述初始剥离多晶金刚石薄膜进行再剥离处理，得到所述多晶金刚石薄膜剥离后的目标多晶金刚石薄膜以及目标基底，具体包括：关闭所述MPCVD设备中的微波，并获取所述MPCVD设备关闭所述微波后的第二降温环境；根据所述第二降温环境对所述初始剥离多晶金刚石薄膜进行再剥离处理，得到所述多晶金刚石薄膜剥离后的目标多晶金刚石薄膜以及目标基底；当初始剥离处理结束后，则关闭微波以熄灭等离子体，促进硅衬底发生形变，使得多晶薄膜与硅衬底彻底分离。

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