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龙图腾网恭喜深圳市芯电元科技有限公司申请的专利碳化硅MOSFET高温离子注入方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297074B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411785435.1，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权碳化硅MOSFET高温离子注入方法及装置是由杨彦峰;黄凤明设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅MOSFET高温离子注入方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及MOSFET制备的技术领域，公开了一种碳化硅MOSFET高温离子注入方法及装置，本发明对基板进行预处理并获取规格和性能参数，根据这些参数设计高温离子注入方案，在基板表面制备纳米结构以引导离子注入，对基板加热至工作状态，通过纳米结构进行高温离子注入，实时采集注入效果数据并分析，通过调整参数优化注入效果，直至完成中间状态基板的制备，该方法通过纳米结构引导和实时反馈调节，提高了离子注入的精度和均匀性，解决了现有技术中对碳化硅进行高温离子注入的精度不足的问题。

本发明授权碳化硅MOSFET高温离子注入方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET高温离子注入方法，其特征在于，包括：对用于制备碳化硅MOSFET的基板进行预处理，得到待制备基板；获取所述待制备基板的规格参数与性能参数，并根据所述待制备基板的规格参数与性能参数对所述待制备基板的高温离子注入方案进行分析，得到所述待制备基板的高温离子注入方案；根据所述高温离子注入方案对所述待制备基板进行纳米结构的制备处理，得到设置在所述待制备基板表面的用于引导高温离子注入的若干纳米结构；对所述待制备基板进行加热处理，使得所述待制备基板处于工作状态，并根据所述高温离子注入方案通过所述纳米结构对处于工作状态的待制备基板进行高温离子注入；对所述待制备基板的高温离子注入效果进行实时数据采集，得到高温离子注入效果特征，对所述高温离子注入效果特征进行分析，根据分析的结果对后续的高温离子注入进行参数调整，直至通过各个所述纳米结构对所述待制备基板进行高温离子注入，得到碳化硅MOSFET的中间状态基板；其中，所述中间状态基板用于在经过高温退火处理与表面镀层制备后进行若干功能层的加工，以制备碳化硅MOSFET；根据所述高温离子注入方案对所述待制备基板进行纳米结构的制备处理，得到设置在所述待制备基板表面的用于引导高温离子注入的若干纳米结构的步骤包括：对所述高温离子注入方案进行解析，得到所述高温离子注入方案中对所述待制备基板进行高温离子注入的各个注入位置和对应各个所述注入位置的注入执行步骤；根据所述注入执行步骤对所述待制备基板进行注入过程的基板影响分析，得到所述待制备基板对应各个所述注入执行步骤的注入影响特征；对所述注入影响特征进行引导对策分析，得到用于对所述注入执行步骤进行高温离子注入引导以抵消所述注入影响特征的纳米结构；根据所述高温离子注入方案通过所述纳米结构对处于工作状态的待制备基板进行高温离子注入的步骤包括：对所述高温离子注入方案进行解析，得到所述高温离子注入方案中对所述待制备基板进行高温离子注入的各个注入位置和对应各个所述注入位置的注入执行步骤；对各个所述注入执行步骤进行执行顺序的分析，得到各个所述注入执行步骤的执行顺序标记；根据各个所述注入执行步骤的执行顺序标记，对处于工作状态的待制备基板上相应的各个注入位置依次进行注入执行步骤的执行处理。

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