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龙图腾网恭喜松山湖材料实验室申请的专利一种仿生偏振视觉芯片器件及其制备方法、卷积神经网络获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119325261B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411867531.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种仿生偏振视觉芯片器件及其制备方法、卷积神经网络是由梁齐杰;林显凯;李文博;陈梓棱;周桂港;丘桂添设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种仿生偏振视觉芯片器件及其制备方法、卷积神经网络在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体芯片技术领域，具体涉及一种仿生偏振视觉芯片器件及其制备方法、卷积神经网络。器件包括：采用二维材料制备的多层二维范德华垂直铁电异质结构，该结构包括依次层叠设置的底部电极层、铁电层、中间金属层、绝缘层以及沟道层；沟道层具有各向异性，铁电层通过在偏振光诱导下的极化开关切换，控制沟道层中的电导率大小，用于偏振图像识别。本发明中，采用二维材料制备仿生偏振视觉芯片器件，而二维材料的原子层通过弱范德华力结合，可以相互堆叠形成范德华异质结构而不需要考虑晶格失配的问题，沟道层的各项异性赋予了其偏振敏感性，而铁电层的极化效应可以使得沟道层中电导率大小改变，由此可以实现偏振图像的识别。

本发明授权一种仿生偏振视觉芯片器件及其制备方法、卷积神经网络在权利要求书中公布了：1.一种基于二维铁电异质结的仿生偏振视觉芯片器件，其特征在于，所述器件包括：采用二维材料制备的多层二维范德华垂直铁电异质结构，该结构包括依次层叠设置的底部电极层、铁电层、中间金属层、绝缘层以及沟道层；所述沟道层具有各向异性，所述铁电层通过在偏振光诱导下的极化开关切换，控制所述沟道层中的电导率大小，用于偏振图像识别；所述沟道层为二硒化钯沟道层、二硫化铼沟道层、黑磷沟道层、硒化锗沟道层或者碲沟道层；所述底部电极层和输入的偏振光用于作为突触前膜，所述铁电层、中间金属层和绝缘层用于作为突触前神经元，所述沟道层用于作为突触后神经元，所述突触前神经元和所述突触后神经元之间的权重大小用于在电刺激和或光刺激的作用下进行调整，实现对偏振视觉信息的学习和记忆。

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