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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119314948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411868367.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构制备方法及半导体结构是由王文智设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及集成电路技术领域，包括：提供衬底；基于目标光罩，形成沿第一方向依次贯穿支撑叠层的第一通孔；于第一通孔的内侧壁形成目标叠层，目标叠层限定出一第二通孔，目标叠层包括由外至内交替层叠的目标碳层、隔离层；形成填充第二通孔的介电叠层；基于目标光罩，形成贯穿介电叠层并暴露出目标叠层的第三通孔；经由第三通孔刻蚀并去除第二通孔内剩余介电叠层后，过刻蚀第一介电层，得到暴露部分导电层的凹槽；去除目标碳层，形成覆盖第三通孔内侧壁及凹槽内表面的金属阻挡层，相邻剩余隔离层之间包括空气间隙。至少能够减少光罩的使用数量，降低制备工艺的复杂度及成本。

本发明授权半导体结构制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上包括沿垂直所述衬底顶面的第一方向依次层叠的导电层、第一介电层及支撑叠层；基于目标光罩，形成沿所述第一方向依次贯穿所述支撑叠层的第一通孔；于所述第一通孔的内侧壁形成目标叠层，所述目标叠层限定出一暴露出部分所述第一介电层的第二通孔，所述目标叠层包括由外至内交替层叠的目标碳层、隔离层；形成覆盖所述支撑叠层、所述目标叠层，并填充所述第二通孔的介电叠层；基于所述目标光罩，形成沿所述第一方向贯穿所述介电叠层并暴露出所述目标叠层的第三通孔；经由所述第三通孔同步刻蚀并去除所述第二通孔内剩余介电叠层及预设厚度的所述隔离层后，过刻蚀所述第一介电层，得到暴露部分所述导电层的凹槽；去除所述目标碳层，得到间隔排布的剩余隔离层；形成覆盖所述第三通孔内侧壁、所述剩余隔离层顶面，以及所述凹槽内表面的金属阻挡层，其中，相邻所述剩余隔离层之间包括空气间隙；所述支撑叠层包括第三介电层，以及位于所述第一介电层、所述第三介电层之间的第二介电层；在相同的刻蚀条件下，去除目标厚度的隔离层时，所述第二通孔内剩余介电叠层被同步去除；所述第三介电层的厚度关联于所述目标厚度。

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