恭喜材料科学姑苏实验室黄永丹获国家专利权
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龙图腾网恭喜材料科学姑苏实验室申请的专利基于聚焦离子束-扫描电子显微镜双束系统的纳米光刻方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119356042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411918679.2,技术领域涉及:G03F7/20;该发明授权基于聚焦离子束-扫描电子显微镜双束系统的纳米光刻方法是由黄永丹;方寒冰;胡友德;王新朋;童祎;周大勇;王晖设计研发完成,并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于聚焦离子束-扫描电子显微镜双束系统的纳米光刻方法在说明书摘要公布了:本申请涉及一种基于聚焦离子束‑扫描电子显微镜双束系统的纳米光刻方法,涉及刻蚀工艺技术领域,方法包括:提供衬底;在衬底上形成胶层;在胶层上形成导体层;将衬底置于聚焦离子束‑扫描电子显微镜双束系统中,通过扫描电子显微镜确定图形窗口设置区域,在图形窗口设置区域内通过聚焦离子束刻蚀导体层,以形成图形窗口;以导体层为掩膜执行刻蚀工艺,通过图形窗口刻蚀胶层直至暴露衬底,以形成第一刻蚀开口。由此,提高了图形的精确度。
本发明授权基于聚焦离子束-扫描电子显微镜双束系统的纳米光刻方法在权利要求书中公布了:1.一种基于聚焦离子束-扫描电子显微镜双束系统的纳米光刻方法,其特征在于,所述方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成胶层,所述胶层的材料包括光刻胶;在所述胶层上形成导体层;将所述衬底置于所述聚焦离子束-扫描电子显微镜双束系统中,通过扫描电子显微镜确定图形窗口设置区域,在所述图形窗口设置区域内通过聚焦离子束刻蚀所述导体层,以形成图形窗口;通过扫描电子显微镜确定曝光区域,在所述曝光区域内利用电子束穿透所述导体层对所述胶层进行曝光;以所述导体层为掩膜执行刻蚀工艺,通过所述图形窗口刻蚀所述胶层直至暴露所述衬底,以形成第一刻蚀开口;去除所述导体层;对所述胶层进行显影,去除所述胶层的被曝光的部分,以形成第二刻蚀开口;其中,在所述衬底的厚度方向上,所述第一刻蚀开口的投影和所述第二刻蚀开口的投影彼此分离。
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