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龙图腾网恭喜英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利一种氮化镓器件以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384004B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411959346.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种氮化镓器件以及制备方法是由宋亮;陈扶;赵杰设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓器件以及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓器件以及制备方法。该氮化镓器件包括：衬底、沟道层和复合势垒层，复合势垒层包括第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层和第四势垒层；第一势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；第二势垒层位于第一势垒层远离沟道层的一侧；第二势垒层的共价键的键能大于第一势垒层的共价键的键能；第三势垒层位于第二势垒层远离第一势垒层的一侧；第四势垒层位于第二势垒层远离第一势垒层的一侧；或者，第四势垒层位于第三势垒层远离第二势垒层的一侧。上述技术方案提高了沟道层一侧的势垒层的表面质量，降低了其界面缺陷，从而提升氮化镓器件的电学性能。

本发明授权一种氮化镓器件以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓器件，其特征在于，包括：衬底；沟道层，位于所述衬底的一侧；复合势垒层，包括第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层和第四势垒层；所述第一势垒层位于所述沟道层远离所述衬底的一侧；所述第二势垒层位于所述第一势垒层远离所述沟道层的一侧；所述第二势垒层的共价键的键能大于所述第一势垒层的共价键的键能；所述第三势垒层位于所述第二势垒层远离所述第一势垒层的一侧；掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层，位于所述第三势垒层远离所述第二势垒层的一侧；栅极，位于所述掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层远离所述第三势垒层的一侧；所述第三势垒层在所述衬底的垂直投影面积等于所述掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层在所述衬底的垂直投影的面积的情况下，所述第四势垒层位于所述第二势垒层远离所述第一势垒层的一侧；或者，所述第三势垒层在所述衬底的垂直投影面积等于所述第二势垒层在所述衬底的垂直投影的面积的情况下，所述第四势垒层位于所述第三势垒层远离所述第二势垒层的一侧；源极，位于所述第四势垒层远离所述沟道层的一侧；漏极，位于所述第四势垒层远离所述沟道层的一侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。