买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384059B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510001457.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背照式图像传感器及其制备方法是由陈兴设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本背照式图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，包括：提供衬底，衬底内包括沿平行于衬底顶面的第一方向排布的第一区域、第二区域；基于同一光罩同时于第一区域内形成用于隔离光电二极管的第一沟槽，并于第二区域内形成用于隔离埋入式导线的第二沟槽；于第一沟槽内填满牺牲阻挡层后，形成覆盖第二沟槽内表面的保护层；去除第一沟槽内牺牲阻挡层后，采用目标气体选择性刻蚀并去除第一沟槽底部的部分衬底；去除保护层后，形成介电层，介电层覆盖第二沟槽内表面并填满第一沟槽；于第二沟槽内形成埋入式导线。本申请只需一张光罩，即可同时制作光电二极管之间的深隔离沟槽和金属导线浅沟槽，从而节省光罩数量和降低成本。

本发明授权背照式图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内包括沿平行于所述衬底顶面的第一方向排布的第一区域、第二区域，所述第一区域内用于形成多个光电二极管，所述第二区域内用于形成多条埋入式导线；基于同一光罩同时于所述第一区域内形成用于隔离光电二极管的第一沟槽，并于所述第二区域内形成用于隔离埋入式导线的第二沟槽；采用第一次热氧化工艺，于所述第一沟槽、所述第二沟槽内表面形成预设厚度的牺牲氧化层；所述牺牲氧化层为氧化硅层；于所述第一沟槽内填满牺牲阻挡层；所述牺牲阻挡层为氮化钛；于所述第二沟槽内形成覆盖所述牺牲氧化层的保护层；去除所述第一沟槽内所述牺牲氧化层后，采用目标气体选择性刻蚀并去除所述第一沟槽底部的部分衬底；于同一工艺步骤同期去除位于所述第二沟槽的所述保护层和所述牺牲氧化层；形成介电层，所述介电层覆盖所述第二沟槽内表面并填满所述第一沟槽；于所述第二沟槽内形成埋入式导线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。