恭喜索尼公司小林正治获国家专利权
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龙图腾网恭喜索尼公司申请的专利半导体装置和成像元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113192995B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110498741.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权半导体装置和成像元件是由小林正治;岩渊信;柴山利一;铃木守;丸山俊介设计研发完成，并于2014-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和成像元件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置和成像元件。其中，半导体装置可包括：元件形成单元；和配线单元，所述配线单元叠置在所述元件形成单元上，其中，所述元件形成单元中形成有无源元件、有源元件和构造物，所述无源元件配置为受光影响，所述有源元件位于形成在所述无源元件周围的周边电路中，且在所述元件形成单元的截面图中，所述构造物位于所述无源元件和所述有源元件之间。
本发明授权半导体装置和成像元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：元件形成单元；和配线单元，所述配线单元叠置在所述元件形成单元上，其中，所述元件形成单元中形成有无源元件、有源元件和构造物，所述无源元件配置为受光影响，所述有源元件位于形成在所述无源元件周围的周边电路中，在所述元件形成单元的截面图中，所述构造物位于所述无源元件和所述有源元件之间，且在所述元件形成单元中还形成有元件隔离单元，所述元件隔离单元形成为隔离相邻的所述有源元件，所述构造物从所述元件形成单元的光入射侧沿着所述元件形成单元的厚度方向延伸，所述元件隔离单元从所述元件形成单元的与所述光入射侧相反的一侧沿着所述元件形成单元的厚度方向延伸，并且所述元件隔离单元在所述元件形成单元中的深度小于所述构造物在所述元件形成单元中的深度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼公司，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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