恭喜太浩研究有限公司G.A.格拉斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜太浩研究有限公司申请的专利具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838755B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111084347.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管是由G.A.格拉斯;K.贾姆布纳坦;A.S.墨菲;C.S.莫哈帕特拉;S.金;姜俊成设计研发完成，并于2015-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管。公开了用于制造配置有降低寄生泄漏（即通过与晶体管相关联的源极区和漏极区之间的底层衬底的一部分的电流泄漏）的子鳍绝缘层的半导体晶体管器件的技术。通过制造衬底的子鳍区中的牺牲层在鳍的至少一个沟道区下面的晶体管来降低寄生泄漏。在处理期间，利用电介质材料整体或部分地去除并替换子鳍区中的牺牲层。该电介质材料增加鳍的对应源极和漏极部分之间的衬底的电阻率，因此降低寄生泄漏。
本发明授权具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供衬底以及位于衬底上的沟道层，其中包括沟道层的至少一个鳍在源极区和漏极区之间，电介质层在至少一个鳍中的每一个之间，并且牺牲层在衬底和沟道层之间的子鳍区中；去除至少一个鳍中的每一个之间的电介质材料的一部分以暴露牺牲层的步长；从衬底和沟道层之间的子鳍区去除牺牲层的至少一部分，由此暴露由壁限定的腔；以及将电介质材料沉积在腔中，使得限定腔的壁完全衬有电介质材料，并且衬有电介质材料的腔限定气隙。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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