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龙图腾网恭喜无锡新洁能股份有限公司申请的专利一种功率半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110400836B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910805820.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种功率半导体器件及其制作方法是由朱袁正;周锦程设计研发完成，并于2019-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，包括半导体基板，半导体基板被划分为元胞区和终端保护区，其中，半导体基板包括第一导电类型衬底和第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的表面设置有第二导电类型体区；位于元胞区的第二导电类型体区内设置有第一类沟槽，第一类沟槽的沟槽底部伸入第一类导电类型外延层内；位于终端保护区的第二导电类型体区内靠近元胞区的位置设置有至少一根第二类沟槽；第二类沟槽的沟槽深度小于第一类沟槽的沟槽深度，第二类沟槽的沟槽开口宽度小于第一类沟槽的沟槽开口宽度。本发明还公开了一种功率半导体器件的制作方法。本发明提供的功率半导体器件提升了功率半导体器件的耐压可靠性。

本发明授权一种功率半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，包括半导体基板，所述半导体基板被划分为元胞区和终端保护区，所述元胞区位于所述半导体基板的中心区，所述终端保护区位于所述元胞区的外圈且环绕所述元胞区设置，其特征在于，所述半导体基板包括第一导电类型衬底和位于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层的表面设置有第二导电类型体区；位于所述元胞区的所述第二导电类型体区内设置有第一类沟槽，所述第一类沟槽的沟槽底部伸入所述第一导电类型外延层内；位于所述终端保护区的所述第二导电类型体区内靠近所述元胞区的位置设置有至少一根第二类沟槽；所述第二类沟槽的沟槽深度小于所述第一类沟槽的沟槽深度，所述第二类沟槽的沟槽开口宽度小于所述第一类沟槽的沟槽开口宽度；位于所述终端保护区的所述第二导电类型体区内设置有至少一根第三类沟槽，所述第三类沟槽环绕所述第二类沟槽设置；所述第三类沟槽的沟槽深度不小于所述第一类沟槽的沟槽深度，所述第三类沟槽的沟槽开口宽度不小于所述第一类沟槽的沟槽开口宽度。

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