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龙图腾网恭喜株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111063631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910972930.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权晶片的加工方法是由木内逸人设计研发完成，并于2019-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片的加工方法在说明书摘要公布了：提供晶片的加工方法，即使通过衬底对晶片进行支承而对晶片的背面进行加工，也不会使器件的品质降低。根据本发明，提供晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：晶片配设工序，在直径为晶片10的直径以上的衬底18的上表面上配设直径小于晶片的剥离层16，并且将直径为晶片的直径以上的聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片材14隔着剥离层16而铺设在衬底18的上表面上，将晶片的正面10a定位于片材14的上表面而进行配设；片材热压接工序，在密闭环境内对隔着片材而配设于衬底的晶片进行减压并对片材进行加热，并且对晶片进行按压而隔着片材14将晶片热压接在衬底上；加工工序，对晶片的背面10b实施加工；以及剥离工序，将晶片从片材14剥离。

本发明授权晶片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，对由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片的背面进行加工，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：晶片配设工序，在直径比晶片的直径大的衬底的上表面上配设直径小于晶片且由即使加热也不会发挥粘接性的材料构成的剥离层，并且将直径为晶片的直径以上的聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片材隔着该剥离层而铺设在衬底的上表面上，将晶片的正面定位于该片材的上表面而进行配设；片材热压接工序，在密闭环境内对隔着该片材而配设于该衬底的晶片进行减压并对该片材进行加热而使该片材发挥粘接性，并且对晶片进行按压而隔着该片材将晶片热压接在该衬底上；加工工序，对晶片的背面实施加工；以及剥离工序，将晶片从该片材剥离，在该片材热压接工序中，对晶片进行按压以使该片材围绕着晶片而鼓出，该剥离层在该加工工序后的该剥离工序中从该衬底剥离。

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