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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利成像元件以及成像元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169200B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980078837.9，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权成像元件以及成像元件的制造方法是由田中良和;大场宣幸;中食慎太郎;狭山征博;大久保幸香;西山翼;西木户健树;萩原洋右设计研发完成，并于2019-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本成像元件以及成像元件的制造方法在说明书摘要公布了：当像素微细化时，本发明也容易形成遮挡来自相邻像素的入射光的遮光体。一种成像元件设置有光电转换单元、绝缘膜、入射光透射膜和遮光体。光电转换单元形成在半导体基板中以对来自被摄体的入射光进行光电转换，并且设置在多个像素上。绝缘膜布置在多个像素中以使半导体基板绝缘。入射光透射膜与多个像素的绝缘膜相邻设置以透射入射光。遮光体布置在形成在多个像素中的每个像素的外周边缘上的入射光透射膜中的凹槽中以遮挡入射光。

本发明授权成像元件以及成像元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种成像元件，包括：多个像素，所述多个像素通过以二维格子图案布置来形成像素阵列单元，在所述多个像素中的每个像素中布置有形成在半导体基板中并对来自被摄体的入射光进行光电转换的光电转换单元，所述像素包括布置在所述像素阵列单元的外周边缘上并且遮挡所述入射光的遮光像素和用于通过对来自所述被摄体的所述入射光进行光瞳分割来检测相位差的相位差像素；绝缘膜，其布置在所述多个像素上并且使所述半导体基板绝缘；入射光透射膜，其与所述多个像素的所述绝缘膜相邻布置且直接接触并透射入射光，其中所述入射光透射膜形成为一层；遮光体，其布置在形成在所述多个像素中的每个像素的外周边缘上的所述入射光透射膜中的凹槽中并遮挡所述入射光，其中所述遮光体贯通所述入射光透射膜；和遮光膜，其与所述入射光透射膜相邻布置并遮挡所述入射光，其中所述遮光膜布置在所述入射光透射膜的光入射侧，并且所述遮光膜仅形成在所述遮光像素和所述相位差像素中，而未形成在除了所述遮光像素和所述相位差像素之外的所述像素中。

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