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龙图腾网恭喜华为技术有限公司;清华大学申请的专利存储设备与写数据的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111986721B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010017923.3，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权存储设备与写数据的方法是由高滨;王侃文;陈俊任;张锐;吴华强设计研发完成，并于2020-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储设备与写数据的方法在说明书摘要公布了：一种存储设备与写数据方法。该存储设备可应用于神经网络中。该存储设备包括忆阻器单元、限流电路和写电路。所述忆阻器单元为一晶体管一阻变式存储器1T1R结构。所述限流电路用于限制通过所述忆阻器单元的电流为目标电流，其中，所述目标电流根据所述忆阻器单元的目标电导以及所述晶体管的栅极电压来确定，所述目标电导用于指示待写入所述忆阻器单元的目标数据。所述写电路用于在所述限流电路的配合下向所述忆阻器单元加载写电压以向所述忆阻器单元中写入所述目标数据。

本发明授权存储设备与写数据的方法在权利要求书中公布了：1.一种存储设备，其特征在于，包括：忆阻器单元，所述忆阻器单元为一晶体管一阻变式存储器1T1R结构；限流电路，用于限制通过所述忆阻器单元的电流为目标电流，其中，所述目标电流根据所述忆阻器单元的目标电导以及所述晶体管的栅极电压来确定，所述目标电导用于指示待写入所述忆阻器单元的目标数据；写电路，用于在所述限流电路的配合下向所述忆阻器单元加载写电压以向所述忆阻器单元中写入所述目标数据；其中，所述限流电路包括电流镜，所述电流镜包括并联的第一支路以及第二支路，所述第二支路与所述忆阻器单元相连，通过所述第一支路的电流为所述目标电流，所述电流镜用于将所述目标电流从所述第一支路复制到所述第二支路，以限制流过所述忆阻器单元的电流为所述目标电流，所述限流电路为所述忆阻器单元提供多个电流，多个电流中不同的电流对应所述忆阻器单元不同的电导，所述多个电流包括所述目标电流，所述多个电流对应的所述忆阻器单元的多个电导中的第二电导G'max的电导值最大，第二写电压阈值V'bmax满足公式I'max表示将所述忆阻器单元的电导调制为所述第二电导G'max所需的电流，V'max表示所述晶体管的漏极电压，若所述第二写电压阈值小于所述忆阻器单元的估计突变电压，则所述写电压为所述估计突变电压，所述估计突变电压高于所述忆阻器单元的真实突变电压。

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