恭喜三星电子株式会社;国际商业机器公司郑在佑获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社;国际商业机器公司申请的专利包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111490154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010076710.8，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件是由郑在佑;马赫什·G·萨曼特;斯图尔特·S·P·帕金;雅里·费兰特设计研发完成，并于2020-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件在说明书摘要公布了：公开了一种包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件。器件包括呈Mn3‑xCoxGe形式的哈斯勒化合物，其中，0x≤1，其中Co占哈斯勒化合物的至少0.4原子百分比。器件还包括在001方向上取向并且呈YMn1+d形式的基底，其中Y包括选自于由Ir和Pt组成的组中的元素，并且0≤d≤4。四方哈斯勒化合物和基底彼此接近，从而使自旋极化电流从四方哈斯勒化合物和基底中的一个穿过四方哈斯勒化合物和基底中的另一个。一方面，器件还包括在室温下是非磁性的多层结构。该结构包括Co和E的交替层。E包括包含Al的至少一个其它元素。该结构的组成由Co1‑yEy表示，并且y在0.45至0.55的范围内。
本发明授权包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件在权利要求书中公布了：1.一种包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件，所述器件包括：呈Mn3-xCoxGe形式的哈斯勒化合物，其中，0x≤1，其中Co占所述哈斯勒化合物的至少0.4原子百分比，并且所述哈斯勒化合物具有四方结构；以及基底，在001方向上取向并且呈YMn1+d形式，其中Y包括选自于由Ir和Pt组成的组中的元素，并且0≤d≤4，其中，所述哈斯勒化合物和所述基底彼此接近，从而使自旋极化电流从所述哈斯勒化合物和所述基底中的一个穿过所述哈斯勒化合物和所述基底中的另一个。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社;国际商业机器公司，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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