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龙图腾网恭喜株式会社POWDEC申请的专利二极管、二极管的制造方法和电气设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113875015B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080037000.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权二极管、二极管的制造方法和电气设备是由河合弘治;八木修一;齐藤武尊;中村文彦;成井启修设计研发完成，并于2020-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本二极管、二极管的制造方法和电气设备在说明书摘要公布了：二极管由双栅PSJ‑GaN系FET构成。该FET具有GaN层11、AlxGa1‑xN层12、未掺杂的GaN层13和p型GaN层14。在AlxGa1‑xN层12上设置有源电极19和漏电极20，在p型GaN层14上设置有第一栅电极15，在设于槽16内部的栅极绝缘膜17上设置有第二栅电极18，所述槽16设置在源电极19和未掺杂的GaN层13之间的部分处的AlxGa1‑xN层12中。源电极19、第一栅电极15和第二栅电极18彼此连接，或者源电极19和第二栅电极18彼此连接、并且第一栅电极15被施加相对于源电极19和第二栅电极18而言为正的电压。

本发明授权二极管、二极管的制造方法和电气设备在权利要求书中公布了：1.一种二极管，其中，所述二极管由双栅极化超结GaN系场效应晶体管构成，所述双栅极化超结GaN系场效应晶体管具有：未掺杂的第一GaN层；AlxGa1-xN层，所述AlxGa1-xN层在所述第一GaN层上，且0＜x＜1；未掺杂的第二GaN层，所述未掺杂的第二GaN层在所述AlxGa1-xN层上并且具有第一岛状的形状；p型GaN层，所述p型GaN层在所述第二GaN层上并且具有第二岛状的形状；源电极和漏电极，所述源电极和漏电极以夹着所述第二GaN层的方式设置在所述AlxGa1-xN层上；第一栅电极，所述第一栅电极与所述p型GaN层电连接；和第二栅电极，所述第二栅电极设置在设于槽内部的栅极绝缘膜上，所述槽设置在所述源电极和所述第二GaN层之间的部分处的所述AlxGa1-xN层中，其中所述第二栅电极的阈值电压为0V以上，利用所述第一栅电极的控制为常通型，利用所述第二栅电极的控制为常断型，所述源电极、所述第一栅电极和所述第二栅电极彼此电连接，由所述源电极、所述第一栅电极和所述第二栅电极构成阳极电极，由所述漏电极构成阴极电极，或者所述源电极和所述第二栅电极彼此电连接，并且所述第一栅电极被施加相对于所述源电极和所述第二栅电极而言为正的电压，由所述源电极和所述第二栅电极构成阳极电极，并且由所述漏电极构成阴极电极，在所述阳极电极和所述阴极电极未被施加电压时，在所述AlxGa1-xN层和所述第二GaN层之间的异质界面附近的部分处的所述第二GaN层中形成二维空穴气，并且除了所述第二栅电极下方的部分之外，在所述第一GaN层和所述AlxGa1-xN层之间的异质界面附近的部分处的所述第一GaN层中形成二维电子气。

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