恭喜重庆康佳光电科技有限公司杨顺贵获国家专利权
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龙图腾网恭喜重庆康佳光电科技有限公司申请的专利一种微发光二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010318485.4，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种微发光二极管及其制造方法是由杨顺贵;黄国栋;林雅雯;黄嘉宏设计研发完成，并于2020-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微发光二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及发光二极管领域，其包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层为不同类型的半导体层，所述有源层包括依次层叠的第一量子阱层及第二量子阱层，在所述第二量子阱层及所述第二半导体层上形成有纳米环结构，所述第一量子阱层发射第一颜色的光，所述第二量子阱层与所述纳米环侧壁对应的部分发射第二颜色的光，所述第一颜色与所述第二颜色不相同，所述第一半导体层电性连接有第一电极，所述第二半导体层电性连接有第二电极。本发明还包括该微发光二极管的制造方法，用纳米二氧化硅颗粒作为光罩制作纳米环，会使原本量子阱应力释放而使量子局限斯塔克效应减少而产生蓝光。
本发明授权一种微发光二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层为不同类型的半导体层，所述有源层包括依次层叠的第一量子阱层及第二量子阱层，第一量子阱层上形成有多个纳米环，所述纳米环的侧壁包括呈环状且层叠设置的第二量子阱层及第二半导体层，第二量子阱层位于第一量子阱层与第二半导体层之间；所述第一量子阱层发射第一颜色的光，所述纳米环侧壁对应所述第二量子阱层的位置发射第二颜色的光，所述第一颜色与所述第二颜色不相同，所述第一半导体层电性连接有第一电极，所述第二半导体层电性连接有第二电极。
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