恭喜三星电子株式会社李炅奂获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利垂直半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086462B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010406162.0，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权垂直半导体器件是由李炅奂;金容锡;金泰勋;朴硕汉;山田悟;洪载昊设计研发完成，并于2020-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了垂直半导体器件。该垂直半导体器件包括：在衬底上的沟道，该沟道在实质上垂直于衬底的上表面的第一方向上延伸；第一数据存储结构，接触沟道的第一侧壁；在沟道的第二侧壁上的第二数据存储结构；以及在第二数据存储结构的表面上的栅极图案，其中栅极图案在第一方向上彼此间隔开，并且栅极图案在实质上平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。
本发明授权垂直半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种垂直半导体器件，包括：在衬底上的沟道，所述沟道在实质上垂直于所述衬底的上表面的第一方向上延伸；第一数据存储结构，接触所述沟道的第一侧壁；在所述沟道的第二侧壁上的第二数据存储结构；和在所述第二数据存储结构的表面上的栅极图案，其中所述栅极图案在所述第一方向上彼此间隔开，并且所述栅极图案在实质上平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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