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龙图腾网恭喜无锡华润上华科技有限公司;电子科技大学申请的专利一种屏蔽栅沟槽MOSFET的建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113761823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010491561.1，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种屏蔽栅沟槽MOSFET的建模方法是由高文明;江逸洵;刘新新;乔明设计研发完成，并于2020-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅沟槽MOSFET的建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET的建模方法，所述建模方法包括：按照屏蔽栅沟槽MOSFET的器件结构，将所述器件结构划分为本征区、电子扩散区、屏蔽栅所在的JFET区以及屏蔽栅下区域；分别对本征区、所述电子扩散区、屏蔽栅所在的JFET区以及所述屏蔽栅下区域建立物理模型；根据所述物理模型在仿真电路模拟器中建立仿真模型；判断仿真模型是否符合误差要求，以得到满足误差要求的仿真模型。本发明针对屏蔽栅沟槽MOSFET漂移区和衬底复杂的物理特性，将漂移区和衬底简单分为三个部分，包括电子扩散区、屏蔽栅所在的JFET区以及屏蔽栅下区域；并针对划分的区域分别建立等效电阻模型，提高直流交流的仿真精度，保证模型准确预测器件的I‑V特性。

本发明授权一种屏蔽栅沟槽MOSFET的建模方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET的建模方法，其特征在于，所述建模方法包括：将屏蔽栅沟槽MOSFET的器件结构划分为本征区、电子扩散区、屏蔽栅所在的JFET区以及屏蔽栅下区域，包括：将所述屏蔽栅沟槽MOSFET的器件结构沿源极指向漏极的方向划分为四个层状区域，所述四个层状区域沿源极指向漏极的方向依次为本征区、电子扩散区、屏蔽栅所在的JFET区以及屏蔽栅下区域，所述本征区为所述屏蔽栅沟槽MOSFET的控制栅多晶和源极所处于的层状区域，所述屏蔽栅所在的JFET区为所述屏蔽栅沟槽MOSFET的屏蔽栅多晶所处于的层状区域，所述电子扩散区为所述本征区与所述屏蔽栅所在的JFET区之间的层状区域，所述屏蔽栅下区域为所述屏蔽栅所在的JFET区下方的层状区域；分别对所述本征区、所述电子扩散区、所述屏蔽栅所在的JFET区以及所述屏蔽栅下区域建立物理模型；根据所述物理模型在仿真电路模拟器中建立仿真模型；判断所述仿真模型是否符合误差要求，以得到满足误差要求的仿真模型；所述分别对所述本征区、所述电子扩散区、所述屏蔽栅所在的JFET区以及所述屏蔽栅下区域建立物理模型，包括：采用BSIM4模型，得到所述本征区的物理模型；采用公式1对所述电子扩散区建立物理模型，以模拟所述电子扩散区的电阻特性；RDTT＝RDTTNOM·[1+TCRD1·T-TNOM+TCRD2·T-TNOM2]1；采用公式2对所述屏蔽栅下区域建立物理模型，以模拟所述屏蔽栅下区域的电阻特性；RDBT＝RDBTNOM·[1+TCRD1·T-TNOM+TCRD2·T-TNOM2]2；采用公式3对所述屏蔽栅所在的JFET区建立物理模型，以模拟所述屏蔽栅所在的JFET区的电阻特性；RJFETT＝RJFETTNOM·[1+TCRD1·T-TNOM+TCRD2·T-TNOM2]3；其中，RDTT为所述电子扩散区任一温度下的等效电阻；RDTTNOM为所述电子扩散区常温时的等效电阻，为所述仿真模型的拟合参数；RDBT为所述屏蔽栅下区域和衬底任一温度下的等效电阻；RDBTNOM为所述屏蔽栅下区域和衬底常温时的等效电阻，为所述仿真模型的拟合参数；RJFETT为所述屏蔽栅所在的JFET区任一温度下的等效电阻；RJFETTNOM为所述屏蔽栅所在的JFET区常温时的等效电阻，与其两端电压VD1、VD2相关；T为屏蔽栅沟槽MOSFET的器件实际工作温度，TNOM为常温，TCRD1和TCRD2分别为一次项和二次项的拟合系数。

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