恭喜爱思开海力士有限公司韩在贤获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利包括可变电阻元件的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112993154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010559840.7，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权包括可变电阻元件的半导体器件是由韩在贤设计研发完成，并于2020-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括可变电阻元件的半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种包括可变电阻器件的半导体器件。根据本公开的一个实施例的可变电阻元件包括：离子接收层，其具有顶部、底部和将顶部与底部连接的侧壁；离子供给层，其具有与离子接收层的侧壁的至少一部分连接的内侧壁；栅极图案，其连接到离子供给层的外侧壁；以及源极图案，其与离子接收层的顶部或底部之一连接，和漏极图案，其与离子接收层的顶部或底部中的另一个连接，其中离子接收层的电阻根据基于施加到栅极图案的电压而从离子供给层供应的离子的量来变化。
本发明授权包括可变电阻元件的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括至少一个可变电阻元件，所述可变电阻元件包括：离子接收层，其具有顶部、底部和将所述顶部与所述底部连接的侧壁；离子供给层，其具有与所述离子接收层的侧壁的至少一部分连接的内侧壁；栅极图案，其与所述离子供给层的外侧壁连接；以及源极图案，其与所述离子接收层的顶部或底部之一连接，和漏极图案，其与所述离子接收层的顶部或底部中的另一个连接，其中，所述离子接收层的电阻根据基于施加到所述栅极图案的电压而从所述离子供给层供应的金属离子的量来变化，其中，所述离子供给层包括向作为沟道的所述离子接收层供应金属阳离子的材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人爱思开海力士有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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