恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林士尧获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于形成堆叠层的方法及其形成的器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011169467.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权用于形成堆叠层的方法及其形成的器件是由林士尧;高魁佑;陈振平;林志翰设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于形成堆叠层的方法及其形成的器件在说明书摘要公布了：本公开涉及用于形成堆叠层的方法及其形成的器件。一种方法包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽，其中，所述半导体衬底包括朝向所述沟槽的侧壁；以及沉积延伸至所述沟槽中的第一半导体层。所述第一半导体层包括位于所述沟槽的底部处的第一底部部分和位于所述半导体衬底的所述侧壁上的第一侧壁部分。去除所述第一侧壁部分以显露所述半导体衬底的所述侧壁。所述方法还包括：沉积延伸至所述沟槽中的第二半导体层，其中，所述第二半导体层包括位于所述第一底部部分之上的第二底部部分和与所述半导体衬底的所述侧壁接触的第二侧壁部分。去除所述第二侧壁部分以显露所述半导体衬底的所述侧壁。
本发明授权用于形成堆叠层的方法及其形成的器件在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽，其中，所述半导体衬底包括朝向所述沟槽的侧壁；沉积延伸至所述沟槽中的第一半导体层，其中，所述第一半导体层包括位于所述沟槽的底部处的第一底部部分和位于所述半导体衬底的所述侧壁上的第一侧壁部分；去除所述第一侧壁部分以显露所述半导体衬底的所述侧壁；沉积延伸至所述沟槽中的第二半导体层，其中，所述第二半导体层包括位于所述第一底部部分之上的第二底部部分和与所述半导体衬底的所述侧壁接触的第二侧壁部分；去除所述第二侧壁部分以显露所述半导体衬底的所述侧壁；对所述第一半导体层和所述第二半导体层进行图案化以形成经图案化的层堆叠；去除所述第一半导体层；以及形成栅极电介质，所述栅极电介质包括与所述第二半导体层的顶表面和底表面两者接触的部分。
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