恭喜意法半导体(图尔)公司M·德克鲁兹获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜意法半导体(图尔)公司申请的专利用于制造电子芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112908872B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011412573.7，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权用于制造电子芯片的方法是由M·德克鲁兹;O·奥里设计研发完成，并于2020-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造电子芯片的方法在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及用于制造电子芯片的方法。一种用于制造电子芯片的方法包括：在半导体基底的第一面侧上形成金属化部，这些金属化部将相邻集成电路的接触部彼此耦接，在该半导体基底中和在该半导体基底上已经预先形成了多个集成电路。该方法还包括：在基底的第一面侧上形成第一沟槽，这些第一沟槽延伸穿过基底的第一面并且在横向上将相邻的集成电路分隔开。第一沟槽延伸穿过金属化部，以在相邻电路中的每个电路处形成金属化部的至少部分。
本发明授权用于制造电子芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造电子芯片的方法，包括：在半导体基底的第一面上形成金属化部，所述金属化部将所述基底上的相邻的集成电路的相应接触部彼此耦接；以及形成第一沟槽，所述第一沟槽延伸穿过所述基底的所述第一面、并且在横向上将相邻的所述集成电路分隔开，所述第一沟槽延伸穿过将相邻的所述集成电路的相应接触部耦接的所述金属化部，以在相邻的所述集成电路中的每个集成电路处形成所述金属化部的至少部分；在整个所述第一面上沉积第一树脂的层，所述第一树脂渗透到所述第一沟槽中、并且覆盖所述金属化部的所述部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(图尔)公司，其通讯地址为：法国图尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号