恭喜纳微朗科技(深圳)有限公司闫春辉获国家专利权
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龙图腾网恭喜纳微朗科技(深圳)有限公司申请的专利发光器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914335B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110185349.7，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权发光器件及其制造方法是由闫春辉;蒋振宇;马爽设计研发完成，并于2021-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光器件及其制造方法，该发光器件包括衬底以及以外延生长方式叠层形成于衬底上的多层外延层，在发光器件内设置有多个人工微坑，人工微坑以衬底和或多层外延层中的至少一外延层为中止层，并延伸至后续形成于中止层上的后续外延层内，其中人工微坑在垂直于衬底的第一参考平面上的第一横截面形状呈非等腰三角形设置。通过上述方式，使人工微坑的形状和尺寸灵活可控，进而实现优化人工微坑的空穴注入效果。
本发明授权发光器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括衬底以及以外延生长方式叠层形成于所述衬底上的多层外延层，在所述发光器件内设置有多个人工微坑，所述人工微坑以所述衬底和或所述多层外延层中的至少一外延层为中止层，并延伸至后续形成于所述中止层上的后续外延层内，其中所述人工微坑在垂直于所述衬底的第一参考平面上的第一横截面形状呈非等腰三角形设置；所述人工微坑进一步划分成以人为方式形成于所述中止层内的起始微坑以及在所述起始微坑的诱导作用下随所述后续外延层的外延生长形成于所述后续外延层内的诱导微坑，其中所述起始微坑在所述中止层朝向所述后续外延层的一侧表面上形成一开口，且所述开口的尺寸设置成使得所述后续外延层在外延生长过程中形成的所述诱导微坑在平行于所述衬底的第二参考平面上的横截面形状与所述开口在平行于所述衬底的第二参考平面上的横截面形状一致。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人纳微朗科技(深圳)有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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