恭喜湖北科技学院刘芳梅获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北科技学院申请的专利一种基于古斯-汉森位移的高灵敏度光波长传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113418618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110841658.5，技术领域涉及：G01J9/00；该发明授权一种基于古斯-汉森位移的高灵敏度光波长传感器是由刘芳梅设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于古斯-汉森位移的高灵敏度光波长传感器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于古斯‑汉森位移的高灵敏度光波长传感器，属于光学技术领域。高灵敏度光波长传感器的光子晶体包括石墨烯单层，石墨烯单层的入射侧设置有第一周期性晶体，石墨烯单层的出射侧设置有第二周期性晶体，石墨烯单层与第一周期性晶体之间、石墨烯单层与第二周期性晶体之间分别嵌入有一缺陷层；第一周期性晶体包括交替分布的若干第一电介质层和若干第二电介质层，第二周期性晶体包括交替分布的若干第三电介质层和若干第四电介质层。本发明能够探测入射光波长和同时实现拓扑边界态附近大的反射率和古斯‑汉森位移。
本发明授权一种基于古斯-汉森位移的高灵敏度光波长传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于古斯-汉森位移的高灵敏度光波长传感器，其特征在于，高灵敏度光波长传感器的光子晶体包括石墨烯单层（G），所述石墨烯单层（G）的入射侧设置有第一周期性晶体，所述石墨烯单层（G）的出射侧设置有第二周期性晶体，所述石墨烯单层（G）与第一周期性晶体之间、石墨烯单层（G）与第二周期性晶体之间分别嵌入有一缺陷层（E）；所述第一周期性晶体包括交替分布的若干第一电介质层（A）和若干第二电介质层（B），所述第二周期性晶体包括交替分布的若干第三电介质层（C）和若干第四电介质层（D）；整个结构为ABNEGECDN，N为布拉格周期数。
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