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龙图腾网恭喜芝浦机械电子装置株式会社申请的专利成膜装置及成膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116057669B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180055657.6，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权成膜装置及成膜方法是由松中繁树;藤田笃史设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本成膜装置及成膜方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够以高生产率形成GaN膜的成膜装置及成膜方法。实施方式的成膜装置1包括：腔室20，能够使内部为真空；旋转台31，设置于腔室20内，保持工件10，以圆周的轨迹循环搬送工件10；GaN成膜处理部40A，具有包含含有GaN的成膜材料的靶、及将导入至所述靶与所述旋转台之间的溅射气体G1等离子体化的等离子体产生器，通过溅射使含有GaN及Ga的成膜材料的粒子堆积于由旋转台31循环搬送的工件10；以及氮化处理部50，使在GaN成膜处理部40A中堆积的成膜材料的粒子在由旋转台31循环搬送的工件10氮化。

本发明授权成膜装置及成膜方法在权利要求书中公布了：1.一种成膜装置，其特征在于，包括：腔室，能够使内部为真空；旋转台，设置于所述腔室内，保持工件，以圆周的轨迹循环搬送所述工件；GaN成膜处理部，具有包含含有GaN的成膜材料的靶、及将导入至所述靶与所述旋转台之间的溅射气体等离子体化的等离子体产生器，通过溅射使含有GaN的成膜材料的粒子堆积于由所述旋转台循环搬送的所述工件；氮化处理部，使在所述GaN成膜处理部中堆积在由所述旋转台循环搬送的所述工件的所述成膜材料的粒子氮化；以及杂质添加处理部，具有包含含有p型杂质或n型杂质的成膜材料的靶、及将导入至所述包含含有p型杂质或n型杂质的成膜材料的靶与所述旋转台之间的溅射气体等离子体化的等离子体产生器，通过溅射向于所述GaN成膜处理部中堆积于所述工件的含有GaN的成膜材料的粒子中添加n型杂质或p型杂质，所述GaN成膜处理部、所述氮化处理部及所述杂质添加处理部配置于所述循环搬送的路径上，所述旋转台使所述工件依次重复穿过所述GaN成膜处理部、所述氮化处理部及所述杂质添加处理部，由此以重复GaN膜的成膜、氮化及杂质添加的方式进行搬送，从而在所述工件形成规定的层叠数的包含所述n型杂质或所述p型杂质的GaN膜。

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