恭喜绍兴中芯集成电路制造股份有限公司闾新明获国家专利权
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龙图腾网恭喜绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种低应力MEMS器件制造方法及低应力MEMS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114084867B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111161256.7，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种低应力MEMS器件制造方法及低应力MEMS器件是由闾新明;林欣蓉;鲁列微设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低应力MEMS器件制造方法及低应力MEMS器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低应力MEMS器件制造方法及低应力MEMS器件，其方法是在衬底上形成至少三层致密性自下而上由高到底的氧化层作为牺牲介质层，并在现有干法刻蚀后，增加湿法刻蚀改变干法刻蚀所形成的电极材料沉积窗口的侧壁形貌，令其由陡直侧壁变为圆弧形侧壁，这样上电极材料层沉积后形成的电极填充部也为圆弧形结构，可以显著消除陡直结构造成的应力集中问题，有效延长MEMS器件的工作寿命。
本发明授权一种低应力MEMS器件制造方法及低应力MEMS器件在权利要求书中公布了：1.一种低应力MEMS器件制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在衬底表面形成下电极层，在下电极层表面形成牺牲介质层，牺牲介质层至少包括三层氧化层，牺牲介质层中氧化层的致密性自下而上由高到低变化；对牺牲介质层进行干法刻蚀形成电极材料沉积窗口，然后采用湿法刻蚀对电极材料沉积窗口的形貌进行圆弧化处理；在牺牲介质层上沉积电极材料层，并对电极材料层刻蚀形成释放孔，经释放孔刻蚀去除一部分牺牲介质层以形成空腔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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